电浆原子层沉积方法及装置

摘要

本发明系将如氧气导入成膜室内部，并对配置于成膜室内部之矽基板上方的复数单极天线供给高频电力，以产生所导入之氧气的电浆，成为原子状氧供应至胺矽烷分子层表面的状态。该电浆之产生约为1秒。藉此，可使吸附于矽基板表面之吸附层氧化，成为矽基板表面形成有具有1原子层量之矽的氧化矽层的状态。