发明名称 | 低温多晶矽薄膜电晶体结构及其制造方法 | ||
摘要 | 一种制造低温多晶矽薄膜电晶体之方法,其包含提供一个基体;于基体上形成一个图案化第一导体层;于图案化第一导体层上形成一层第一绝缘层;于第一绝缘层上形成一层多晶矽薄膜层;于多晶矽薄膜层上形成一层第二绝缘层;将多晶矽薄膜层与第二绝缘层予以图案化以形成一个图案化多晶矽薄膜层与一个位于图案化多晶矽薄膜层上之图案化第二绝缘层;于图案化第二绝缘层上形成一层掺杂之多晶矽薄膜层;于掺杂之多晶矽薄膜层上形成一个图案化第二导体层,该图案化第二导体层曝露出位于图案化第二绝缘层上方的掺杂之多晶矽薄膜层之局部;以及将曝露出的掺杂之多晶矽薄膜层之局部予以移除使曝露出图案化第二绝缘层之局部。 | ||
申请公布号 | TW200742082 | 申请公布日期 | 2007.11.01 |
申请号 | TW095114786 | 申请日期 | 2006.04.25 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈麒麟;黄志仁 |
分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/18(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 邱琦瑛 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |