吸气方法及使用该方法之晶圆

摘要

本发明揭示具有去除杂质(不纯物)之一活性层之半导体晶圆结构体之制造方法，该方法包括如下步骤：于第一晶圆的表面淀积第一层以提供一活性层；一为次一步骤制造该第一层之任意步骤；于第二晶圆上成长热氧化物层；将该第一及第二晶圆接合成一层物；及将该第一晶圆薄化至预定的厚度。本发明亦涉及由本发明方法制得之晶圆，应用此晶圆结构之晶片以及应用该晶片之电子装置。