| 摘要 |
本发明的课题是在于提供一种可防止因空洞部内的残渣所引起的装置特性劣化之半导体基板的制造方法及半导体装置的制造方法。其解决手段是在Si基板1上形成SiGe层，将蚀刻的选择比比SiGe层更小的Si层5形成于SiGe层上。其次，在Si层5及SiGe层形成使Si基板1露出的孔，以能够埋入孔且覆盖Si层5的方式，在Si基板1上形成SiO2膜11。然后，在SiO2膜11形成使SiGe层3的端部的一部份露出之开口面。其次，经由开口面来蚀刻SiGe层，藉此在Si层5与Si基板1之间形成空洞部21。经由开口面来对空洞部21内进行APM洗净。然后，在空洞部21内形成埋入氧化膜31。 |
