GaN结晶基板及其制造方法以及半导体装置之制造方法

摘要

本发明之GaN结晶基板(10)中，结晶成长面(10c)相反侧之面即背面(10r)之弯度w(R)为-50 μm≦w(R)≦50 μm，且可使背面(10r)之面粗糙度Ra(R)为Ra(R)≦10 μm，背面(10r)之面粗糙度Ry(R)为Ry(R)≦75 μm。又，本发明之半导体装置(99)之制造方法包含下述步骤：准备上述GaN结晶基板(10)以作为基板，使至少1层第III族氮化物结晶层(20)成长于该GaN结晶基板(10)之结晶成长面(10c)侧。藉此，提供一种能够使结晶性良好之半导体层成长于结晶成长面上、且背面弯度小之GaN结晶基板及其制造方法、以及半导体装置之制造方法。