| 主权项 |
1.一种非破坏性检测线宽粗糙现象的方法,包含有: 提供一晶圆,具有一测试键区域,且在该测试键区 域内设有复数条格栅; 将该晶圆置于一光学量测机台中,其至少配备有一 光源、一侦检器以及一资料处理运算单元; 使该光源所发射出的一极化光线,照射在该测试键 区域内复数条格栅上面; 藉由该侦检器量测反射光线,并将所得到的光谱资 料储存在该资料处理运算单元内; 将所量测到的该光谱资料与一连结该资料处理运 算单元的资料库进行比对分析,其中该资料库具有 复数个利用一接触洞模式所建立起来的理论光谱 资料,且各该理论光谱资料包含有描述不同线宽粗 糙现象情形之参数;以及 将所量测到的该光谱资料与储存在该资料库中利 用该接触洞模式计算产生之各该理论光谱资料比 对,找出一最契合之理论光谱资料,获得描述实际 线宽粗糙度情形的该参数。 2.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该光学量测机台包含有一具 有宽频分光镜椭圆对称技术之光谱关键尺寸(SCD) 检测机台以及一反射仪。 3.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该描述不同线宽粗糙现象情 形之参数包括有一接触洞图案在x轴方向上的孔洞 直径"a",其决定欲模拟细线图案的关键尺寸(CD)。 4.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该描述不同线宽粗糙现象情 形之参数包括有一接触洞图案在y轴方向上的孔洞 直径"b"。 5.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该描述不同线宽粗糙现象情 形之参数包括有一矩形率"r"。 6.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该描述不同线宽粗糙现象情 形之参数包括有一接触洞图案之椭圆率ellipticity “a/b"、在x轴方向上的第一线距以及在y轴方向上 的第二线距,其中a代表该接触洞图案在x轴方向上 的孔洞直径,b代表该接触洞图案在y轴方向上的孔 洞直径。 7.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该测试键区域可设置在晶方 的任何一处,大小大于光源的尺寸。 8.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该测试键区域系设置在一切 割道上。 9.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该测试键区域大小约为50微 米50微米。 10.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该复数条格栅系为周期重复 再现的紧密细线(line)与间隔(space)图案。 11.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该方法适用于线宽与间隔比 小于1比13的所有线距(pitch)。 12.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该复数条格栅之线宽与间隔 比例约为80奈米比100奈米,亦即,具有180奈米之线距 。 13.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该复数条格栅为光阻所构成 。 14.如申请专利范围第1项所述之非破坏性检测线宽 粗糙现象的方法,其中该光源包含有宽频光源。 15.一种非破坏性检测线宽粗糙现象的方法,包含有 : 提供一晶圆,具有一测试键区域,且在该测试键区 域内设有复数条格栅; 将该晶圆置于一光学检测机台中,其至少配备有一 光源、一侦检器以及一资料处理运算单元; 使该光源所发射出的一极化光线,照射在该测试键 区域内复数条格栅上面; 藉由该侦检器量测反射光线,并将所得到的光谱资 料储存在该资料处理运算单元内; 线上即时将所量测到的该光谱资料与一连结该资 料处理运算单元的资料库进行比对分析,其中该资 料库具有复数个理论光谱资料,具有描述不同线宽 粗糙现象情形之参数,包括有一接触洞图案在X轴 方向上的孔洞直径"a"、在y轴方向上的孔洞直径"b" 、矩形率(rectangularity)"r"、椭圆率ellipticity“a/b"、 在X轴方向上的第一线距以及在y轴方向上的第二 线距;以及 将所量测到的该光谱资料与各该理论光谱资料比 对,以决定描述实际线宽粗糙度情形的该参数。 16.如申请专利范围第15项所述之非破坏性检测线 宽粗糙现象的方法,其中该光学量测机台包含有一 具有宽频分光镜椭圆对称技术之光谱关键尺寸(SCD )检测机台以及一反射仪。 17.如申请专利范围第15项所述之非破坏性检测线 宽粗糙现象的方法,其中该测试键区域系设置在一 切割道上。 18.如申请专利范围第15项所述之非破坏性检测线 宽粗糙现象的方法,其中该测试键区域大小约为50 微米50微米。 19.如申请专利范围第15项所述之非破坏性检测线 宽粗糙现象的方法,其中该复数条格栅系为周期重 复再现的紧密细线(line)与间隔(space)图案。 20.如申请专利范围第15项所述之非破坏性检测线 宽粗糙现象的方法,其中该复数条格栅为光阻所构 成。 21.如申请专利范围第15项所述之非破坏性检测线 宽粗糙现象的方法,其中该光源包含有宽频光源。 图式简单说明: 第1图绘示的是本发明较佳实施例利用非破坏性光 谱关键尺寸(SCD)技术进行晶圆上线宽粗糙现象检 测之示意图。 第2图绘示的是本发明之较佳实施例利用接触洞模 式所模拟建立光谱资料之各项主要参数以及用来 建立资料库之方程式。 第3图至第5图绘示的是本发明利用接触洞模式所 建立之资料库中分别代表不同线宽粗糙度情形之 线宽/间距(line/space)图案。 |
