| 主权项 |
1.一种用于形成奈米管薄膜之可旋敷液体,其包含: 含有受控浓度的纯化奈米管之液体介质,其中该受 控浓度系足以形成具预选密度及均匀性之奈米管 织物或薄膜,并且其中该可旋敷液体含有小于11018 原子/立方公分之金属不纯物。 2.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可旋 敷液体含有小于约11015原子/立方公分之金属不纯 物。 3.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可旋 敷液体含有小于约151010原子/立方公分之金属不 纯物。 4.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可旋 敷液体含有小于约11018原子/立方公分之重金属不 纯物。 5.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可旋 敷液体含有小于约151010原子/立方公分之重金属 不纯物。 6.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可旋 敷液体含有小于约11018原子/立方公分之第I族及 第II族元素不纯物。 7.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可旋 敷液体含有小于约151010原子/立方公分之第I族及 第II族元素不纯物。 8.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可旋 敷液体含有小于约11018原子/立方公分之过渡金属 不纯物。 9.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可旋 敷液体含有小于约151010原子/立方公分之过渡金 属不纯物。 10.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体实质上不含具有直径大于约500奈米之颗 粒不纯物。 11.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体实质上不含具有直径大于约300奈米之颗 粒不纯物。 12.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体实质上不含具有直径大于约45奈米之颗 粒不纯物。 13.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该奈 米管系均匀地分布于该液体介质中,而未有明显的 沉淀或凝聚情形。 14.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该液 体介质为非卤素溶剂。 15.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该液 体介质为非水性溶剂。 16.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该液 体介质系选用可与电子制造程序相容者。 17.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该液 体介质包含乳酸乙酯。 18.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体系不含表面活性剂。 19.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该奈 米管包含导电性奈米管。 20.如申请专利范围第1项之可旋敷液体,其中该奈 米管系为单壁奈米管。 21.一种富勒烯(fullerene)组成物,其包含: 含有富勒烯分布之液体介质,其中该富勒烯保持彼 此分离而不沉淀或凝聚达一段足以将富勒烯组成 物施敷于一表面之时间,并且其中该组成物含有小 于11018原子/立方公分之金属不纯物。 22.如申请专利范围第21项之富勒烯组成物,其中该 组成物含有小于约11018原子/立方公分之重金属不 纯物。 23.如申请专利范围第21项之富勒烯组成物,其中该 组成物含有小于约11018原子/立方公分之第I族及 第II族元素不纯物。 24.如申请专利范围第21项之富勒烯组成物,其中该 组成物含有小于约11018原子/立方公分之过渡金属 不纯物。 25.如申请专利范围第21项之富勒烯组成物,其中该 组成物含有小于约151010原子/立方公分之重金属 不纯物。 26.如申请专利范围第21项之富勒烯组成物,其中该 组成物含有小于约151010原子/立方公分之第I族及 第II族元素不纯物。 27.如申请专利范围第21项之富勒烯组成物,其中该 组成物含有小于约151010原子/立方公分之过渡金 属不纯物。 28.一种用于形成奈米管薄膜之可旋敷液体,其包含 : 含有奈米管分布之液体介质,其中该奈米管保持彼 此分离而不沉淀或凝聚达一段足以将可旋敷液体 施敷于一表面之时间,并且其中该可旋敷液体实质 上不含具有直径大于约500奈米之颗粒不纯物。 29.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体实质上不含具有直径大于约300奈米之颗 粒不纯物。 30.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体实质上不含具有直径大于约100奈米之颗 粒不纯物。 31.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体实质上不含具有直径大于约45奈米之颗 粒不纯物。 32.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体含有小于约11018原子/立方公分之金属不 纯物。 33.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体含有小于约151010原子/立方公分之金属 不纯物。 34.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体含有小于约11018原子/立方公分之过渡金 属不纯物。 35.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体含有小于约151010原子/立方公分之过渡 金属不纯物。 36.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体含有小于约11018原子/立方公分之重金属 不纯物。 37.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体含有小于约151010原子/立方公分之重金 属不纯物。 38.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体含有小于约101017原子/立方公分之第I族 及第II族元素不纯物。 39.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体含有小于约151010原子/立方公分之第I族 及第II族元素不纯物。 40.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该液 体介质为非卤素溶剂。 41.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该液 体介质为非水性溶剂。 42.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该液 体介质系选用可与电子制造程序相容者。 43.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该液 体介质包含乳酸乙酯。 44.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该可 旋敷液体系不含表面活性剂。 45.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该奈 米管包含导电性奈米管。 46.如申请专利范围第28项之可旋敷液体,其中该奈 米管系为单壁奈米管。 图式简单说明: 图1显示未纯化的奈米管织物之典型扫描式电子显 微照相图(SEM);及 图2显示纯化的奈米管织物之典型SEM影像。 |
