发明名称 微奈米凹陷区之制造方法
摘要 一种微奈米凹陷区之制造方法,主要系利用微影制程初步制作凹陷区后,再涂布可硬化材料于凹陷区,藉由控制加温位置及工作温度之加温手段,使上述可硬化材料于凹槽之预设位置硬化而缩小凹陷区之空隙,最后去除可硬化材料之未硬化部份而获得微奈米凹陷区者。
申请公布号 TWI289137 申请公布日期 2007.11.01
申请号 TW094122630 申请日期 2005.07.05
申请人 远东科技大学 发明人 丁永强;施锡龙
分类号 B82B3/00(2006.01);G03F7/26(2006.01) 主分类号 B82B3/00(2006.01)
代理机构 代理人 李文祯 台南市中西区府前路2段239号2楼
主权项 1.一种微奈米凹陷区之制造方法,主要系利用微影 制程初步制作凹陷区后,再涂布可硬化材料Su-8于 凹陷区,藉由加温,使上述可硬化材料Su-8于凹槽之 预设位置硬化而缩小凹陷区之空隙,最后去除可硬 化材料Su-8未硬化部份而获得微奈米凹陷区者。 图式简单说明: 第一图系本发明之实施示意图。 第二图系加温之工作温度与孔径之关系图。
地址 台南县新市乡中华路49号