| 主权项 |
1.一种用以沉积包含一材料于一目标上之一被动 结构之设备,该设备包含: 一喷雾器,用以形成一雾质,包含该材料与一运 送气体; 一排气流控制器,用以排出过量运送气体; 一沉积头,用以承载该雾质于一圆柱形护套气流 ; 一压力感应变换器; 一十字,连接该喷雾器、该沉积头、该排气流控制 器、及该变换器; 其中该被动结构之一想要性质之一忍受度系比约5 %佳。 2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该沉积头 与该喷雾器于互相相对之入口处连接至该十字。 3.如申请专利范围第2项所述之设备,其中该排气流 控制器以垂直于旅经该十字之一雾质方向之一 方向排出过量携带气体。 4.如申请专利范围第1项所述之设备,其中该排气流 控制器降低该携带气体流动率。 5.如申请专利范围第1项所述之设备,其另包含一处 理器,用以自该变换器接收资料,该处理器决定是 否一漏洞或阻塞存在于该设备中。 6.如申请专利范围第5项所述之设备,其另包含一回 馈圈,若侦测到一阻塞则用以自动净化该设备,或 若侦测到一漏洞则自动停止操作。 7.如申请专利范围第1项所述之设备,其另包含: 一雷射,其光束穿透该流动雾质;及 一光电二极体,用以侦测来自该雷射之分散光线。 8.如申请专利范围第7项所述之设备,其中该雷射光 束垂直于该雾质之一流动方向,且该光电二极体 以对该雷射光束与该流动方向呈直角之方向为方 向。 9.如申请专利范围第7项所述之设备,其另包含一控 制器,用以自动控制该喷雾器电源。 10.一种沉积包含一材料于一目标上之一被动结构 之方法,该方法包含之步骤有: 使该材料分裂成原子; 承载该已原子化材料于一携带气体中以形成一 雾质; 经由以垂直于该雾质之一流动方向为方向之一 开口自该雾质移除过量携带气体; 监控该雾质之一压力; 以一护套气体环绕该雾质;及 沉积该材料于该目标上; 其中该被动结构之一想要性质之一忍受度比约5% 佳。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其另包含根 据该压力之一値决定一漏洞或阻塞之存在之步骤 。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其另包含若 一阻塞存在则自动净化该系统之步骤。 13.如申请专利范围第11项所述之方法,其另包含若 一漏洞存在则自动停止操作之步骤。 14.如申请专利范围第10项所述之方法,其另包含将 一雷射光束投向该雾质中且测量来自该雷射光 束之分散光线之步骤。 15.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该测量 步骤系由以对该雷射光束与该雾质之一流动方 向成直角为方向之一侦测器加以执行。 16.如申请专利范围第14项所述之方法,其另包含根 据该测量步骤中所侦测之一分散光限量改变用于 该原子化步骤中之电源之步骤。 17.如申请专利范围第10项所述之方法,其另包含处 理该材料之步骤。 18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该处理 步骤系选择自由湿润该雾质、乾燥该雾质、 加热该雾质、加热该沉积材料、以一雷射光束 照耀该沉积材料、及其组合所组成之群组。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中以一雷 射光束照耀该沉积材料之步骤允许该沉积材料之 线宽如约1微米般低。 20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中以一雷 射光束照耀该沉积材料之步骤不提升该目标之一 平均温度至高于一损害临界値。 图式简单说明: 第一a图系可延伸执行时间且沉积具有低于5%之忍 受度之本发明较佳M3D设备之实施例之一架构。 第一b图显示配置用于空气原子化之本发明较佳M3D 设备之大致实施例。 第二图系显示护套气体压力与总气流率间之关系 之一图。 第三a图系具有终止处之一被动结构之一剖面之一 架构。该结构之高度系t1。 第三b图系第三a图具有一附加修整被动结构之之 一架构。该结构之高度系t2,在此t2>t1。 第四图系显示由于该垫间之电阻器材料之较大长 度,该最右侧电阻器具有比中间结构较大之一阻抗 之一架构。 第五a图系附加被动结构之直接写入前之一梯状电 阻器之一架构。 第五b图系显示可如何于该板已经处理且安装其他 元件之后加入架构,藉此于其几乎完整之后调整一 电路之一梯状电阻器之一架构。 第六图系透过一目标之边缘写入之一被动结构之 一架构。 第七a图系具有终止电阻器之一线性被动痕迹之一 架构。 第七b图系具有终止电阻器之一蜿蜒被动痕迹之一 架构。 第八图系嵌入于二电路层间之一通道中之一电阻 器之一架构。 第九a及九b图描述用以沉积一通道之墙与底部上 之一涂层之一方法。 第十a-c图系使用用以使用一抗蚀剂制造精确金属 结构之一混合附加/删去技术中之M3D制程之架构 。 |
