| 主权项 |
1.一种光半导体装置,其特征在于:包含 引线框架, 配置于该引线框架之光半导体元件, 密封该光半导体元件之第1铸模树脂部,以及 至少密封该第1铸模树脂部之一部分、且具有透光 性之第2铸模树脂部,并且 使上述第1铸模树脂部之线性膨胀系数小于上述第 2铸模树脂部之线性膨胀系数。 2.如请求项1之光半导体装置,其中 上述第1铸模树脂部具有透光性。 3.如请求项2之光半导体装置,其中 上述第1铸模树脂部之透光率小于上述第2铸模树 脂部之透光率。 4.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部使用填充有填充料之铸模树 脂,使上述引线框架之线性膨胀系数与上述第1铸 模树脂部之线性膨胀系数之差为0 ~ 6.010-5。 5.如请求项4之光半导体装置,其中 使上述第1铸模树脂部之线性膨胀系数与上述第2 铸模树脂部之线性膨胀系数之差为0 ~ 6.010-5。 6.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部及上述第2铸模树脂部使用 苯酚系硬化环氧树脂、或者酸酐系硬化环氧树脂 。 7.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部使用填充有透明填充物之苯 酚系硬化环氧树脂,于上述第2铸模树脂部使用酸 酐系硬化环氧树脂。 8.如请求项7之光半导体装置,其中 于上述第2铸模树脂部使用填充有透明填充料之酸 酐系硬化环氧树脂。 9.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部使用填充有透明填充料之苯 酚系硬化环氧树脂, 于上述第2铸模树脂部使用填充有透明填充料之苯 酚系硬化环氧树脂,但其填充量少于上述第1铸模 树脂部。 10.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部使用填充有透明填充料之酸 酐系硬化环氧树脂, 于上述第2铸模树脂部使用无填充料之酸酐系硬化 环氧树脂。 11.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部及上述第2铸模树脂部使用 填充有透明填充料之酸酐系硬化环氧树脂。 12.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部使用填充有透明填充料之酸 酐系硬化环氧树脂, 于上述第2铸模树脂部使用填充有透明填充料之苯 酚系硬化环氧树脂,但其填充量少于上述第1铸模 树脂部。 13.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部,使用填充有透明填充料之 苯酚系硬化环氧树脂,或者,使用填充有透明填充 料之酸酐系硬化环氧树脂,并且 使填充于上述第1铸模树脂部之透明填充料之填充 量为20~80 wt%。 14.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部,使用填充有透明填充料之 苯酚系硬化环氧树脂,或者,使用填充有透明填充 料之酸酐系硬化环氧树脂,并且 上述透明填充料之折射率大致等于上述苯酚系硬 化环氧树脂或者上述酸酐系硬化环氧树脂之折射 率。 15.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部,使用填充有透明填充料之 苯酚系硬化环氧树脂,或者,使用填充有透明填充 料之酸酐系硬化环氧树脂,并且 上述透明填充料之形状为球状。 16.如请求项2之光半导体装置,其中 上述第1铸模树脂部或者上述第2铸模树脂部之至 少一方含有染料,该染料拦截相对于上述光半导体 元件之受光波长或者发光波长较短之波长侧的光 。 17.如请求项2之光半导体装置,其中 于上述第1铸模树脂部,使用填充有透明填充料之 苯酚系硬化环氧树脂,或者,使用填充有透明填充 料之酸酐系硬化环氧树脂,并且 使上述光半导体元件中至少进行受光或者发光之 一方之部分上部的上述第1铸模树脂之厚度薄于其 它部分。 18.如请求项17之光半导体装置,其中 于上述光半导体元件中至少进行受光或者发光之 一方之部分上部的上述第1铸模树脂部中,形成凹 部,并且 于凹部之侧壁形成聚光用之锥体。 19.如请求项2之光半导体装置,其中 具备矽氧树脂部,其以覆盖上述光半导体元件之方 式设置并具有耐寒性, 对于上述矽氧树脂部所覆盖之上述光半导体元件, 至少以上述第1铸模树脂部或者上述第2铸模树脂 部中之上述第2铸模树脂部进行密封。 20.如请求项19之光半导体装置,其中 对于上述矽氧树脂部之上述光半导体元件中至少 进行受光或者发光之一方之部分上部,不以上述第 1铸模树脂部密封,而是以上述第2铸模树脂部进行 密封。 21.如请求项19之光半导体装置,其中 上述矽氧树脂部之透光率,大于上述第1铸模树脂 部之透光率、以及上述第2铸模树脂部之透光率。 22.如请求项20之光半导体装置,其中 上述引线框架与上述光半导体元件,系介以低环线 形状之导线而相互电性连接。 23.如请求项22之光半导体装置,其中 上述导线具有自位于上述光半导体元件之凸块部 延伸并且大致平行于上述引线框架之平行部。 24.如请求项22之光半导体装置,其中 上述导线具有: 位于上述光半导体元件之球形部, 自该球形部延伸之弯曲部,以及 自该弯曲部延伸并且大致平行于上述引线框架之 平行部。 25.如请求项24之光半导体装置,其中 上述弯曲部相对于上述光半导体元件之高度低于 上述平行部相对于上述光半导体元件之高度。 26.如请求项22之光半导体装置,其中 上述导线具有自上述光半导体元件延伸并且大致 平行于上述引线框架之平行部。 27.如请求项22之光半导体装置,其中 包含积体电路晶片,其搭载于上述引线框架上,并 以上述第1铸模树脂部密封,且驱动控制上述光半 导体元件, 上述引线框架与上述积体电路晶片,系介以低环线 形状之导线而相互电性连接。 28.如请求项2之光半导体装置,其中 形成有透明导电膜,其至少覆盖上述第1铸模树脂 部之表面中之上述光半导体元件之上部区域,并且 对于上述光半导体元件、上述第1铸模树脂部、以 及上述透明导电膜,以上述第2铸模树脂部进行密 封。 29.如请求项2之光半导体装置,其中 形成有导电性树脂部,其覆盖上述第1铸模树脂部 之表面中上述光半导体元件之至少进行受光或者 发光之一方的部分以外的区域,并且 对于上述光半导体元件、上述第1铸模树脂部、以 及上述导电性树脂部,以上述第2铸模树脂部加以 密封。 30.如请求项1之光半导体装置,其中 具有至少覆盖上述光半导体元件中进行受光或者 发光之部分之矽氧树脂部, 上述第1铸模树脂部,具有露出上述矽氧树脂部之 一部分之孔部,并且密封上述矽氧树脂部之其它部 分以及上述光半导体元件, 上述第2铸模树脂部,密封上述矽氧树脂部之一部 分以及上述第1铸模树脂部之至少一部分。 31.一种光半导体装置之制造方法,其特征在于具有 : 第1步骤,其对于引线框架上之光半导体元件之进 行受光或者发光之部分,以矽氧树脂部进行覆盖, 第2步骤,其形成露出该矽氧树脂部之一部分之孔 部,并且以第1铸模树脂部密封该矽氧树脂部之其 它部分以及上述光半导体元件,以及 第3步骤,其以第2铸模树脂部密封上述矽氧树脂部 之一部分以及上述第1铸模树脂部之至少一部分。 32.如请求项1之光半导体装置,其中 上述引线框架具有: 头座部,其用于搭载上述光半导体元件,以及 闸口部,其形成闸口区域,该闸口区域用以自外部 向形成有包围上述头座部之内侧树脂部及外侧树 脂部之区域中注入树脂,并且 上述闸口部为二重构造,其包含以特定间隔固定夹 住上述闸口区域之2个第1闸口构件,以及,自更外侧 夹住该2个第1闸口构件之2个第2闸口构件。 33.一种电子机器,其特征在于具有请求项1之光半 导体装置。 图式简单说明: 图1系表示本发明之第1实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图2系表示本发明之第5实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图3系表示本发明之第6实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图4系表示本发明之第7实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图5系表示本发明之第8实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图6系表示本发明之第9实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图7系表示本发明之第10实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图8系表示本发明之第13实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图9系表示本发明之第15实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图10系表示本发明之第16实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图11系表示本发明之第17实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图12系表示本发明之第18实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图13系表示本发明之第19实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图14系表示本发明之第20实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图15系表示本发明之第21实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图16系表示本发明之第22实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图17系表示本发明之第23实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图18系表示本发明之第24实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图19系表示本发明之第25实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图20系表示本发明之第26实施形态之光半导体装置 之概略性构成的说明图。 图21A系其它光半导体装置之剖面图。 图21B系第1铸模树脂部之平面图。 图22A系其它光导体装置之剖面图。 图22B系第1铸模树脂部之平面图。 图23A系本发明之引线框架之外观图。 图23B系该引线框架之外观图。 图24A系用以说明使用该引线框架之光半导体装置 之制造方法的第1步骤图。 图24B系用以说明使用该引线框架之光半导体装置 之制造方法的第2步骤图。 图24C系用以说明使用该引线框架之光半导体装置 之制造方法的第3步骤图。 图24D系用以说明使用该引线框架之光半导体装置 之制造方法的第4步骤图。 图25系图24A所示之制造步骤之主要部分的放大图 。 图26系图24B所示之制造步骤之主要部分的放大图 。 图27系图24C所示之制造步骤之主要部分的放大图 。 图28系图24D所示之制造步骤之主要部分的放大图 。 图29A系有1个安装用翼板部之光半导体装置之外观 图。 图29B系有2个安装用翼板部之光半导体装置之外观 图。 图30系表示本发明之电子机器之方块图。 图31系表示使用先前之代表性透明树脂之光半导 体装置之概略性构成的说明图。 图32系表示使用先前之代表性含填充料树脂的光 半导体装置之概略性构成的说明图。 图33系表示使用先前之代表性树脂密封技术之光 半导体装置之概略性构成的说明图。 |
