| 主权项 |
1.一种晶圆级晶片尺寸封装之制造方法,包含下列 步骤: 提供一具有金凸块之晶圆及一具有复数个作业单 元之卷带,且该作业单元包含复数个内引脚和电气 连接至该复数个内引脚之复数个球焊垫; 黏合该晶圆之每个晶片至对应之卷带之作业单元; 熔接该卷带之内引脚至相对应之晶圆之金凸块;及 在该卷带之复数个球焊垫表面植上第一金属球。 2.如申请专利范围第1项之晶圆级晶片尺寸封装之 制造方法,其另包含切割该晶圆与该卷带而成为复 数个封装件之步骤。 3.如申请专利范围第1项之晶圆级晶片尺寸封装之 制造方法,其另包含下列步骤: 在该卷带表面均匀覆盖一层保护胶材; 以研磨方式去除该胶材及该复数个第一金属球之 上层部份; 于该复数个第一金属球露出于该胶材之位置再植 上第二金属球;及 切割该晶圆、该卷带与该胶材而成为复数个封装 件。 4.一种晶圆级晶片尺寸封装之封装件,包含: 一卷带,包含: (a)一黏着层; (b)一金属线路层,层叠至该黏着层,具有电性连接 之复数个内引脚、复数个内连接线路及复数个球 焊垫;及 (c)一基材,层叠至该金属线路层; 一具有复数个金凸块之晶片,该晶片与该卷带之黏 着层黏合,且该金凸块与该卷带之内引脚结合; 复数个第一金属球,设于该卷带之复数个球焊垫上 ;以及 一胶材层,设于该卷带之上方,且其厚度小于该复 数个第一金属球的高度。 5.如申请专利范围第4项之晶圆级晶片尺寸封装之 封装件,其另包含复数个第二金属球,且设于该复 数个第一金属球上方。 6.如申请专利范围第4项之晶圆级晶片尺寸封装之 封装件,其中该复数个第一金属球系选用熔点300℃ 以上之锡铅合金。 7.如申请专利范围第5项之晶圆级晶片尺寸封装之 封装件,其中该复数个第二金属球系选用熔点250℃ 以下之锡铅合金。 8.如申请专利范围第4项之晶圆级晶片尺寸封装之 封装件,其中该卷带之基材系选用聚乙醯胺。 图式简单说明: 图1系本发明之整片卷带之示意图; 图2系图1之A部分放大之构造示意图; 图3系图2延BB剖面线之剖面之结构示意图; 图4系晶圆与卷带结合之部分剖面示意图; 图5系在卷带之球焊垫植上金属球之剖面示意图; 图6系在卷带上覆盖一胶材层之剖面示意图; 图7系将卷带上胶材与金属球做局部研磨后之剖面 示意图; 图8系在胶材所露出之金属球断面再植上金属球之 剖面示意图;及 图9系本发明之封装件之剖面示意图。 |
