发明名称 Method for Depositing a Barrier Layer on a Low Dielectric Constant Material
摘要 Embodiments of an apparatus and methods for forming a tantalum containing film using plasma enhanced atomic layer deposition are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.
申请公布号 US2007251445(A1) 申请公布日期 2007.11.01
申请号 US20070745384 申请日期 2007.05.07
申请人 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 ISHIZAKA TADAHIRO
分类号 C30B23/00;C23C16/00;C30B25/00 主分类号 C30B23/00
代理机构 代理人
主权项
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