| 主权项 |
1.一种改善源/汲极离子掺杂轮廓的方法,其包括下 列步骤: 提供一半导体基底,其内系形成有隔离区域; 在该半导体基底上形成一电晶体闸极结构,其包含 一闸氧化层及其上方之多晶矽层; 以该闸极结构为罩幕,进行一低浓度的离子布植, 在该半导体基底内形成轻掺杂源/汲极区域; 依序于该闸极结构侧壁形成一衬底层、一闸极间 隙壁,且该闸极间隙壁包含下层的氮化矽层及上层 之氧化物层; 利用湿式蚀刻移除部分衬底层与氧化物层,而形成 一剩余衬底层与一剩余氧化物层;以及 以该闸极结构、氮化矽层、剩余衬底层与剩余氧 化物层为罩幕,对该半导体基底进行一高浓度离子 布植,以形成重掺杂源/汲极区域。 2.如申请专利范围第1项所述之改善源/汲极离子掺 杂轮廓的方法,其中当完成重掺杂源/汲极区域后, 可对该半导体基底进行一热回火制程,以重整该半 导体基底表面之矽原子。 3.如申请专利范围第1项所述之改善源/汲极离子掺 杂轮廓的方法,其中当完成重掺杂源/汲极区域后, 可于闸极结构与该源/汲极区域各自形成金属矽化 物层。 4.如申请专利范围第3项所述之改善源/汲极离子掺 杂轮廓的方法,其中形成该金属矽化物层的方法包 括下列步骤: 于该半导体基底上形成一金属层; 形成一阻障层于该金属层表面; 对该半导体基底进行热回火处理,使该金属层与该 闸极结构与源/汲极区域相接触部份转变成金属矽 化物; 去除该阻障层及未反应成金属矽化物之该金属层; 以及 对该金属矽化物进行热回火处理。 5.如申请专利范围第4项所述之改善源/汲极离子掺 杂轮廓的方法,其中该金属层之材质系可为钛金属 、钴金属,或是其它可行的金属材质。 6.如申请专利范围第4项所述之改善源/汲极离子掺 杂轮廓的方法,其中形成该金属层之步骤系利用金 属溅镀方式形成者。 7.如申请专利范围第4项所述之改善源/汲极离子掺 杂轮廓的方法,其中形成该金属层之步骤系利用化 学气相沈积方式形成者。 8.如申请专利范围第4项所述之改善源/汲极离子掺 杂轮廓的方法,其中该阻障层系由一氮化金属层所 构成者。 9.如申请专利范围第8项所述之改善源/汲极离子掺 杂轮廓的方法,其中该氮化金属层之形成方式系为 对该金属层进行一氮离子布値,以使部分之该金属 层转变成该氮化金属层。 10.如申请专利范围第8项所述之改善源/汲极离子 掺杂轮廓的方法,其中该氮化金属层之形成方式系 在形成该金属层时,同时于真空室中通入含有氮气 之混合气体,使部分之该金属层转变成该氮化金属 层。 11.如申请专利范围第1项所述之改善源/汲极离子 掺杂轮廓的方法,其中形成该闸极间隙壁的方法包 括下列步骤: 在该半导体基底上沈积一氮化矽层; 再沈积一氧化物层于该氮化矽层上;以及 对该半导体基底进行一全面性蚀刻,去除该闸极结 构及源/汲极区域上的该氧化物层、该氮化矽层, 以留下该闸极结构侧壁之部份该氧化物层及该氮 化矽层,以作为该闸极间隙壁。 12.如申请专利范围第11项所述之改善源/汲极离子 掺杂轮廓的方法,其中该氮化矽化物层及该氧化物 层系利用化学气相沈积方式沈积在该半导体基底 上。 13.如申请专利范围第11项所述之改善源/汲极离子 掺杂轮廓的方法,其中去除该闸极结构及该源/汲 极区域上的该氧化物层及该氮化矽层之步骤系利 用反应性离子蚀刻之乾蚀刻技术对该半导体基底 进行一全面性蚀刻。 图式简单说明: 第一图为习知闸极间隙壁之构造剖视图。 第二图至第五图为本发明之各步骤构造剖视图。 |
