利用反梯形闸极结构形成LDD的方法

摘要

本发明系提供一种利用反梯形闸极结构形成LDD的方法，其系在一基底表面形成一闸氧化层与多晶矽层之闸极堆叠结构后，利用蚀刻技术蚀刻闸极堆叠结构，以形成一顶边宽底边窄的反梯形结构，利用该闸极堆叠结构为罩幕，进行一浅离子掺杂的垂直植入步骤，在闸极堆叠结构两侧之基底中形成一浅离子掺杂区，在后续的热制程中，浅离子掺杂区将横向扩散至闸极堆叠结构之底边周缘下方的基底，以形成LDD结构。故确保闸极堆叠结构下方的通道长度，藉此保留闸极下方的通道距离，减少多晶矽闸极与浅掺杂区之电容，并可防止源极与汲极产生击穿效应，使得当元件尺寸缩小的情况下，仍可保持元件之特性，提升产品的良率。

主权项

1.一种利用反梯形闸极结构形成LDD的方法,包括下 列步骤: 提供一基底,其上已形成一闸极堆叠结构,该闸极 堆叠结构包括有一闸氧化层及多晶矽闸极; 蚀刻该闸极堆叠结构,以形成一顶边较底边宽的反 梯形态样; 以该闸极堆叠结构为罩幕,进行一浅离子掺杂制程 ,以在该闸极堆叠结构两侧之该基底中,形成一浅 离子掺杂区;及 进行一热制程,使得该浅离子掺杂区横向扩散至该 闸极堆叠结构的底边周缘之该基底中,以形成LDD结 构。 2.如申请专利范围第1项所述之利用反梯形闸极结 构形成LDD的方法,其中该浅离子植入系以垂直该基 底的角度进行掺杂。 3.如申请专利范围第1项所述之利用反梯形闸极结 构形成LDD的方法,其中在进行该热制程步骤后,更 可在该基底中进行深离子植入,以形成源极与汲极 。 4.如申请专利范围第1项所述之利用反梯形闸极结 构形成LDD的方法,其中在形成该浅离子掺杂区之步 骤后,更可在该基底中进行深离子植入,以形成源 极与汲极。 5.如申请专利范围第1项所述之利用反梯形闸极结 构形成LDD的方法,其中该浅离子掺杂系植入硼离子 或磷离子。 图式简单说明: 第1A图至第1C图为习知制作LDD的剖面示意图。 第2A图至第2E图为本发明制作LDD的剖面示意图。