| 发明名称 | 一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备，它包括一个水平放置的筒形热场装置，热场装置内对应于保温层上的视窗在反应室内反应舟的籽晶腔下部设有一个砷压腔。本发明用一个反应室来完成掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长过程，使设备简化，制造容易，晶体生长成本低，而且只用一个加热体热稳定性好，成晶率高。 | ||
| 申请公布号 | CN101063233A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200610017717.2 | 申请日期 | 2006.04.28 |
| 申请人 | 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 | 发明人 | 李百泉;郑松龄 |
| 分类号 | C30B29/42(2006.01);C30B25/00(2006.01) | 主分类号 | C30B29/42(2006.01) |
| 代理机构 | 新乡市平原专利有限责任公司 | 代理人 | 马既森 |
| 主权项 | 1、一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备，它包括一个水平放置的筒形热场装置，其特征在于：热场装置内对应于保温层上的视窗在反应室内反应舟的籽晶腔下部设有一个砷压腔。 | ||
| 地址 | 453000河南省新乡市南环路李村新村 | ||