高性能应力增强MOSFET及制造方法

摘要

一种半导体结构和制造方法，更具体地说，一种CMOS器件，具有嵌入两个栅极并且还嵌入PFET的源极和漏极区域中的应力引起材料。PFET区域和NFET区域具有不同尺寸的栅极，以改变NFET和PFET的器件性能。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，包括如下步骤：在P型场效应晶体管(PFET)沟道区域和N型场效应晶体管(NFET)沟道区域中，同时形成具有下应力引起材料的分层结构；在所述NFET和PFET沟道区域上形成不同尺寸的侧壁隔离物；以及在包括对应于侧壁隔离物的不同尺寸的沟道长度的所述NFET沟道区域和所述PFET沟道区域中蚀刻岛，其中所述NFET的沟道长度在所述NFET沟道区域中产生比在所述PFET沟道区域中高的所得应力成分；以及在所述PFET沟道区域的蚀刻部分中形成应力引起材料，在所述PFET沟道区域中产生与所述NFET沟道区域相反的应力成分。