| 发明名称 | 清洗微结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于清洗微结构的方法，它能够有效除去污染物如抗蚀剂残余而不损害半导体晶片所需要的物质如低-k膜。该清洗方法包括流化主要包括高压下的二氧化碳和清洗组分的清洗剂组合物以及使清洗剂组合物与微结构接触以除去粘附在微结构中的物质，其中氟化氢用作清洗组分。 | ||
| 申请公布号 | CN100346453C | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200380102846.6 | 申请日期 | 2003.11.04 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 增田薰;饭岛胜之 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B08B7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈长会 |
| 主权项 | 1.一种用于清洗微结构的方法，它包括流化清洗剂组合物和使清洗剂组合物与微结构接触以除去粘附在微结构中的物质，所述清洗剂组合物包括在5至30MPa的压力下的二氧化碳和清洗组分，其中氟化氢用作清洗组分，其中在所述清洗剂组合物中的氟化氢浓度为0.0001～0.05质量％，其中将所述清洗剂组合物中的水含量控制为0.0001～0.5质量％。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||