| 发明名称 | 掩模式只读存储器组件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种掩模式只读存储器组件及其制造方法，此方法是首先在一基底中形成一埋入式漏极，并且在基底上形成一栅氧化层。接着，于栅氧化层上形成图案化的一双层结构介电层，并且以垂直于埋入式漏极的方向于栅氧化层以及双层结构介电层上形成一导电层，而形成数个编码存储单元，其中具有双层结构介电层的部分编码存储单元为一逻辑状态“0”，而其它不具有双层结构介电层的编码存储单元为一逻辑状态“1”。 | ||
| 申请公布号 | CN100346469C | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN02121926.5 | 申请日期 | 2002.05.24 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张耀文;卢道政 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);H01L27/112(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种掩模式只读存储器的制造方法，其特征为：包括：在一基底中形成一埋入式漏极；在该基底上形成一栅氧化层；在该栅氧化层上形成图案化的一双层结构介电层；以及以垂直于该埋入式漏极的方向，在该栅氧化层以及该双层结构介电层上形成一导电层，而形成多个编码存储单元，其中具有该双层结构介电层的该些编码存储单元为一逻辑状态“0”，而其它不具有该双层结构介电层的该些编码存储单元为一逻辑状态“1”。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||