| 发明名称 | 成膜方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、程序和存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是使半导体装置的Cu扩散防止膜与Cu配线之间的密接性良好，并提高半导体装置的可靠性。为此，在本发明中的成膜方法是在被处理基板上形成Cu膜的成膜方法，其特征在于，包括：在形成于被处理基板上的Cu扩散防止膜上形成密接膜的第一工序；和在所述密接膜上形成Cu膜的第二工序，并且所述密接膜含有Pd。 | ||
| 申请公布号 | CN101065836A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200580037146.2 | 申请日期 | 2005.10.03 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 小岛康彦;吉井直树 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L23/52(2006.01);C23C16/18(2006.01);C23C16/50(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种成膜方法，用于在被处理基板上形成Cu膜，其特征在于，该方法包括：在形成于所述被处理基板上的Cu扩散防止膜上形成密接膜的第一工序；和在所述密接膜上形成所述Cu膜的第二工序，其中，所述密接膜含有Pd。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||