| 发明名称 | 制造隧穿纳米管场效应晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造隧穿纳米管场效应晶体管的方法，包括在纳米管中形成被所述晶体管的未掺杂沟道区分隔的n掺杂区和p掺杂区。为所述掺杂区和栅电极提供电接触，所述栅电极形成在沉积于所述晶体管的至少部分所述沟道区上的栅极介质层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101065811A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200580016513.0 | 申请日期 | 2005.05.24 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;于利奇研究中心有限公司 | 发明人 | J·阿彭策勒;J·克诺赫 |
| 分类号 | H01B1/04(2006.01);H01L29/76(2006.01);H01L21/4763(2006.01) | 主分类号 | H01B1/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种制造隧穿纳米管场效应晶体管的方法，包括：提供具有半导体特性的纳米管；在所述纳米管中限定所述晶体管的沟道区、第一漏极/源极区和第二漏极/源极区，所述第一漏极/源极区邻近所述沟道区的第一端，且所述第二漏极/源极区邻近所述沟道区的第二端；在所述沟道区上形成栅极介质层；在所述栅极介质层上形成栅电极；使用n型掺杂剂选择性地掺杂所述第一漏极/源极区；使用p型掺杂剂选择性地掺杂所述第二漏极/源极区；以及在所述栅电极和所述漏极/源极区的每一者上形成至少一个电接触。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||