| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层(R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。 | ||
| 申请公布号 | CN101064270A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200610162594.1 | 申请日期 | 2003.10.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 野间崇;筱木裕之;铃木彰;关嘉则;久原孝一;高尾幸弘;山田纮士 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在形成第一配线的半导体晶片表面侧贴合支撑衬底的工序；通过进行从所述半导体晶片背面的蚀刻而形成槽，并部分露出所述第一配线的工序；连接所述第一配线的露出部分，在所述半导体晶片的背面侧形成延伸的第二配线的工序；在所述第二配线上通过喷涂形成保护膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||