| 发明名称 | 碳化硅MOS场效应晶体管以及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在低浓度p型淀积膜内具备沟道区域和通过离子注入返型成n型的基极区域的SiC纵型MOSFET，在截止时会引起栅极氧化膜的绝缘破坏，从而妨碍了高耐压化。本发明通过以下的方式来解决。即，在低浓度p型淀积膜和高浓度栅极层之间设置低浓度n型淀积膜，并且，在低浓度p型淀积膜内有选择地形成通过离子注入返型成n型的基极区域，由此增大高浓度栅极层和沟道区域以及栅极氧化膜之间的淀积膜的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN101065847A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200580036954.7 | 申请日期 | 2005.09.30 |
| 申请人 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 八尾勉;原田信介;岗本光央;福田宪司 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/12(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于：在第1导电型碳化硅衬底(1)上形成有由第1导电型碳化硅构成的第1淀积膜(2)；在其上形成有由第1导电型碳化硅构成的第2淀积膜(33)；进而，在其上形成有由第2导电型碳化硅构成的第3淀积膜(32)，在该第3淀积膜内有选择地形成有第1导电型的基极区域(4)和第2导电型的栅极区域(11)；至少在该第2导电型的栅极区域的表面上隔着栅极绝缘膜(6)设有栅极(7)；在所述第2导电型的栅极区域(11)内有选择地形成有第1导电型的高浓度源极区域(5)；漏极(10)与所述第1导电型碳化硅衬底(1)的表面低电阻连接；在所述第1淀积膜(2)和所述第2淀积膜(33)之间设有第2导电型的高浓度栅极层(31)；源极(9)与所述高浓度源极区域(5)和所述高浓度栅极层(31)的表面低电阻连接；该第2导电型的高浓度栅极层具有部分欠缺部(24)，所述第2淀积膜(33)与所述第1淀积膜(2)在该部分欠缺部(24)直接相接，进而在该部分欠缺部(24)的投影区域，所述第3淀积膜(32)内的所述第1导电型的基极区域(4)与所述第2淀积膜(33)直接相接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||