| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种高度可靠的半导体器件及该半导体器件的制造方法，其中可防止诸如栅电极层与半导体层之间的短路以及漏电流之类的或者由于半导体层对绝缘层的覆盖缺陷而导致的缺陷。为了在绝缘表面上形成多个半导体元件，不将半导体层分为多个岛形半导体层，相反，在一层半导体层中形成使用作半导体元件的多个元件区电绝缘的元件隔离区，即，具有高电阻的第一元件隔离区和与元件区接触并具有与元件区的源和漏区的导电类型相反的导电类型的第二元件隔离区。 | ||
| 申请公布号 | CN101064321A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200710102490.6 | 申请日期 | 2007.04.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 川俣郁子;荒井康行 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：设置在绝缘表面上的半导体层，并包括：元件区，它包括源区、漏区和沟道形成区；第一元件隔离区，它含有从由氧、氮和碳组成的组中选出的至少一种第一杂质元素，并与第二元件隔离区接触；以及第二元件隔离区，它含有向所述第二元件隔离区提供与所述源区和所述漏区的导电类型相反的导电类型的第二杂质元素，并与所述元件区接触，其中所述第一元件隔离区具有比所述沟道形成区低的结晶度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||