| 发明名称 | 非易失性存储器的抹除方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器的抹除方法，此存储器具备有第一导电型基底、设置于第一导电型基底中的第二导电型阱区、设置于第二导电型阱区上的第一导电型阱区、及设置于第一导电型基底上的存储单元，此存储单元包含电荷俘获层与栅极。此抹除方法包括：于栅极施加第一电压，且于第一导电型基底施加第二电压，使第二导电型阱区为浮置，其中第二电压足以产生基底热空穴效应，第一电压可使空穴注入电荷俘获层。 | ||
| 申请公布号 | CN101064313A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200610074880.2 | 申请日期 | 2006.04.25 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 郭兆玮;赵志明;黄汉屏 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种非易失性存储器的抹除方法，该存储器包括第一导电型基底、设置于该第一导电型基底中的第二导电型阱区、设置于该第二导电型阱区上的第一导电型阱区、及设置于该第一导电型基底上的存储单元，该存储单元包含电荷俘获层与栅极，该方法包括：于该栅极施加第一电压，且于该第一导电型基底施加第二电压，使该第二导电型阱区为浮置，其中该第二电压足以产生基底热空穴效应，该第一电压可使空穴注入该电荷俘获层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||