| 发明名称 | 集成电路制造方法 | ||
| 摘要 | 在对光检测器的上部结构层进行蚀刻时需要提高受光部面的平坦性。本发明提供一种集成电路的制造方法，其在层叠于基板上的基底层、受光部衬垫、上部结构层形成开口部分，该制造方法包括：受光部衬垫蚀刻工序，根据所述上部结构层与所述受光部衬垫的选择比高的蚀刻条件，对所述上部结构层与所述受光部衬垫进行蚀刻；和基底层蚀刻工序，在所述受光部衬垫蚀刻工序后，切换为所述受光部衬垫与所述基底层的选择比高的蚀刻条件，对所述受光部衬垫及所述基底层进行蚀刻。由此，可以实现开口部分底面的平坦性的提高，可以提高受光部面内的入射光量的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101064278A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200710091790.9 | 申请日期 | 2007.04.11 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 山田哲也;今井勉 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L27/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种集成电路制造方法，在层叠于基板上的基底层、受光部衬垫、上部结构层形成开口部分，该集成电路制造方法包括：受光部衬垫蚀刻工序，根据所述上部结构层与所述受光部衬垫的选择比高的蚀刻条件，对所述上部结构层与所述受光部衬垫进行蚀刻；和基底层蚀刻工序，在所述受光部衬垫蚀刻工序后，切换为所述受光部衬垫与所述基底层的选择比高的蚀刻条件，对所述受光部衬垫及所述基底层进行蚀刻。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 | ||