发明名称 有机膜的化学机械抛光及制造半导体器件的方法
摘要 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法,其包括:在半导体衬底上方形成有机膜;将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触;使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜,该浆料选自第一浆料或第二浆料,第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05~5μm的树脂颗粒,其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团,第一浆料的pH值为2~8,第二浆料包含初级粒径为0.05~5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。
申请公布号 CN100346451C 申请公布日期 2007.10.31
申请号 CN200410046180.3 申请日期 2004.06.02
申请人 株式会社东芝 发明人 松井之辉;南幅学;竖山佳邦;矢野博之;重田厚
分类号 H01L21/00(2006.01);B24B1/00(2006.01);C09K3/14(2006.01);C08J5/14(2006.01);C09G1/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 林柏楠;刘金辉
主权项 1.一种有机膜的化学机械抛光方法,其包括:在半导体衬底上方形成有机膜,所述有机膜是抗蚀膜;在100~200℃下对所述有机膜进行烘焙;将在半导体衬底上方形成的经烘焙的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触;使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜,该浆料选自第一浆料或第二浆料,第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05~5μm的树脂颗粒,其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团,第一浆料的pH值为2~8,第二浆料包含初级粒径为0.05~5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。
地址 日本东京都