发明名称 |
发光二极管多层金属一次电极的制造方法及其制造装置 |
摘要 |
本发明为一种多层金属一次电极的制造方法及其制造装置,其将磊晶片清洗后放入制造装置内,以进行多层金属电极的制造,该制造装置至少包含:一承载体、一磁性组件、一载具、一磁性光罩以及复数个金属源,以将磊晶片由载具承载利用磁性光罩所设的接触窗,使复数个金属源以金属镀膜沉积方式,透过接触窗的沉积即可形成多层金属电极,本发明无需将使用知的黄光微影制程及化学金属蚀刻制程,即可简单快速地完成制造,并兼顾优良的品质。 |
申请公布号 |
CN101064352A |
申请公布日期 |
2007.10.31 |
申请号 |
CN200610074543.3 |
申请日期 |
2006.04.27 |
申请人 |
曜富科技股份有限公司 |
发明人 |
廖奇德 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01);H01L21/28(2006.01);C23C14/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
北京申翔知识产权代理有限公司 |
代理人 |
周春发 |
主权项 |
1、一种多层金属一次电极的制造方法,其特征在于,至少包含以下步骤:a、将磊晶片清洗;b、将磊晶片放入一制造装置的载具中,并于晶片上方设有一具有接触窗的磁性光罩;c、以由装有不同金属材料的复数金属源,利用金属镀膜沉积方法,依序将金属材料透过接触窗,在磊晶片上堆栈形成多层金属电极;以及d、移除该制造装置。 |
地址 |
台湾省苗栗县竹南镇科义路38号 |