| 发明名称 | 用于电子器件的低成洞性非流动助熔底部填充剂 | ||
| 摘要 | 非流动助熔底部填充剂，其具有含有酚类组分和酐组分的硬化剂组分，其中酚类组分与酐组分的摩尔比为大约0.1∶1至大约2∶1，或大约0.8∶1至大约1.2∶1。底部填充剂制备方法，包括将环氧组分与酚类组分掺合、加热该掺合物、并在掺入酐组分之前将该掺合物冷却。 | ||
| 申请公布号 | CN101065444A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200480044156.4 | 申请日期 | 2004.08.05 |
| 申请人 | 福莱金属公司 | 发明人 | J·M·胡尔雷;M·威尔森;X·叶 |
| 分类号 | C08L61/10(2006.01);C08L61/12(2006.01);C08L63/00(2006.01);C08L63/02(2006.01);C08L63/04(2006.01) | 主分类号 | C08L61/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1.制备电子设备制造中所用的包含环氧组分、酐组分和酚类组分的底部填充剂组合物的方法，该方法包括：将环氧组分和至少大约80重量％的酚类组分掺合以产生环氧/酚类掺合物；将环氧/酚类掺合物加热至高于酚类组分的软化温度的温度；将环氧/酚类掺合物冷却；并将酐组分掺入该环氧/酚类掺合物以产生底部填充剂组合物。 | ||
| 地址 | 美国佐治亚州 | ||