| 发明名称 | 图像感测元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种图像感测元件，包括半导体基底、感光区位于半导体基底中、栅电极位于该感光区的一侧的半导体基底上、图案化介电层覆盖该栅电极以及该感光区，并暴露部分该栅电极，以及间隙壁，位于图案化介电层上并围绕栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101064327A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200610077350.3 | 申请日期 | 2006.04.29 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 施俊吉 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种图像感测元件，包括：半导体基底；感光区，位于该半导体基底中；栅电极，位于该感光区的一侧的该半导体基底上；图案化介电层，覆盖该栅电极以及该感光区，并暴露部分该栅电极；以及间隙壁，位于该图案化介电层上并围绕该栅电极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||