| 发明名称 | 利用化学气相沉积法以粘性前驱物沉积功能性梯度介电膜层的方法及系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在下垫层上形成梯度介电层的方法，该方法包含通过一包含一阻隔板及一面板的喷头导入一含硅碳气体、含氧气体及载气的气体混合，以形成此梯度介电层的富含氧化物部分，其中含硅碳气体具有初始流速；以一高于初始流速的第一中间流速导入含硅碳气体大约0.5秒或更长时间；以及以一高于第一中间流速的最快流速导入含硅碳气体，以形成梯度介电层中富含碳部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101065835A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200580034510.X | 申请日期 | 2005.08.29 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 迪内士·帕德希;朴贤秀;甘恩士·巴拉萨布拉曼尼恩;胡安·卡洛斯·罗奇－阿尔维斯;夏立群;德里克·R·威蒂;希姆·M’萨德 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/768(2006.01);C23C16/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1.一种在一下垫层上形成一梯度介电层的方法，该方法包含：经由一具有一阻隔板及一面板的喷头导入一含硅碳气体、一含氧气体与一载气的一混合气体，以形成该梯度介电层的一富含氧化物部分，其中该含硅碳气体具有一初始流速；以一第一中间流速导入含硅碳气体大约0.5秒或更长时间，其中该第一中间流速较该初始流速高；以及以一较该第一中间流速为高的最快流速导入该含硅碳气体，以形成该梯度介电层的一富含碳部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||