| 发明名称 | 半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 集电区(102)上形成有起基区之作用且由i-Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层和P<SUP>+</SUP>Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层构成的Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层(111b)，且在P<SUP>+</SUP>Si<SUB>1-x</SUB>Ge<SUB>x</SUB>层上设置会成为发射区的Si覆盖层(111a)。在基区开口部分(118)内Si覆盖层(111a)之上形成有发射区引出电极(129)，它又包括形成在含有其浓度在它在单晶硅中的固溶度以下的磷的N<SUP>-</SUP>多晶硅层(129b)和含有高浓度磷的N<SUP>+</SUP>多晶硅层(129a)。抑制了高浓度的磷(P)过分地掺杂到Si覆盖层(111a)中，而将基区层内杂质的浓度分布维持得很合适。Si覆盖层(111a)的上部可含有P型杂质。NPN型双极晶体管中基区层内的P型杂质的浓度分布被维持得很合适。 | ||
| 申请公布号 | CN100346482C | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200510003894.0 | 申请日期 | 2001.05.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 大西照人;浅井明 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L29/737(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，它包括：含有起集电区之作用的N型第一Si单晶半导体层的衬底；形成在所述第一Si单晶半导体层上、含有P型杂质且起基区之作用的P型SiGe或SiGeC单晶半导体层；及形成在所述SiGe或SiGeC单晶半导体层上、其上部起发射区之作用的并由Si构成的第二Si单晶半导体层；所述第二Si单晶半导体层中起发射区之作用的上部含有P型杂质以及N型杂质，所述上部含有的P型杂质的浓度高于所述SiGe或SiGeC单晶半导体层中含有的P型杂质的浓度，所述上部含有的N型杂质的浓度高于所述上部含有的P型杂质的浓度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||