| 发明名称 | 光电二极管结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制作光电二极管的方法，该方法包括提供一基底，并形成掺杂区于基底中，另外，形成介电层、第一多晶硅层于基底上。并形成一开口以暴露出部分掺杂区的表面，然后，形成第二多晶硅层于第一多晶硅层上方和开口内。并且，图案化第二多晶硅层以形成导线，再图案化第一多晶硅层以形成栅极，最后形成源极/漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN101064351A | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200610077348.6 | 申请日期 | 2006.04.29 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 施俊吉;王铭义;陈俊伯 |
| 分类号 | H01L31/102(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L27/146(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L31/102(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制作光电二极管的方法，包括：提供基底；形成多个绝缘层于该基底中；形成掺杂区于该基底中，且被该些绝缘层围绕；形成介电层位于该基底上；形成第一导电层于该介电层上；蚀刻该第一导电层和该介电层以形成开口，以暴露出部分该掺杂区的表面；形成第二导电层于该第一导电层上方和该开口内；图案化该第二导电层，以形成导线于该掺杂区的一侧；图案化该第一导电层，以形成栅极于该掺杂区不同于该导线的一侧；以及形成源极/漏极于该栅极不同于该掺杂区的一侧的该基底中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||