| 发明名称 | 一种硅基器件的金属化接触层结构的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于集成电路制造工艺技术领域，具体为一种硅基器件的金属化接触层结构及其制备方法。其金属化接触层结构为在硅基上形成金属硅化物层和金属层。制备方法采用自对准金属化工艺和化学镀或电镀金属工艺相结合，实现全自对准金属化工艺。本发明的金属化接触层与硅的粘附性好，机械强度高，耐腐蚀性也好，制备方法工艺简单，成本较低，可广泛用于集成电路制造工艺中。 | ||
| 申请公布号 | CN100346454C | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200410017840.5 | 申请日期 | 2004.04.22 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 屈新萍;茹国平;李炳宗 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;沈云 |
| 主权项 | 1、一种硅基器件的金属化接触层结构的制备方法，其特征在于将自对准金属硅化物工艺和化学镀或电镀金属层工艺相结合，具体操作步骤如下：a、提供一硅基器件(1)，其单面有器件或双面有器件，包括氧化层隔离区和有源器件区；b、在该硅基器件(1)的单面或双面淀积金属(2)；c、进行第一次退火，使得该金属和硅基器件的硅发生反应形成硅化物(3)，而与氧化层隔离区不发生反应；d、去除氧化层隔离区上的金属；e、进行第二次退火，使硅化物进一步反应，形成低电阻率的金属硅化物层；f、去除硅化物表面的氧化层；g、进行电镀或化学镀金属层(4)；h、在金属层上焊接，引出导线(5)；其中，所述的金属硅化物层的厚度为10-100nm，所述金属层(4)的厚度为100-500nm。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||