| 发明名称 | 场效应晶体管以及包括场效应晶体管的集成电路 | ||
| 摘要 | 场效应晶体管(FET)、包括FET的集成电路(IC)芯片。器件具有薄沟道，例如超薄(小于或等于10纳米(10nm))绝缘体上硅(SOI)层。源/漏区域位于薄沟道每一端的凹进中，比薄沟道厚得多(例如30nm)。源/漏扩展部分和相应的源/漏区域与FET栅和薄沟道自对准。 | ||
| 申请公布号 | CN100346483C | 申请公布日期 | 2007.10.31 |
| 申请号 | CN200410057601.2 | 申请日期 | 2004.08.20 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 陈华杰;布鲁斯·B·多利斯;菲利普·J·奥尔迪奇;王新琳;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.场效应晶体管，包含：薄沟道，具有第一厚度；栅，置于所述薄沟道之上；源/漏区域，位于所述薄沟道每一端的凹进中，比所述薄沟道更厚；以及源/漏扩展部分，处于所述薄沟道和相应的所述源/漏区域之间，每个所述源/漏扩展部分和所述相应的源/漏区域与所述栅和所述薄沟道自对准。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||