发明名称 一种薄片型热电转换装置的制备方法
摘要 本发明公开了一种薄片型热电转换装置的制备方法,该装置包括依次叠置的上板、N型和P型半导体热电材料层和下板,半导体热电材料层的N型节和P型节在平面的纵向和横向交替间隔排列,利用上、下板形成串联连接。本发明制备方法采用在上、下板设置凹槽、并通过导电银胶凝固连接置于凹槽的半导体热电材料层的N型节和P型节,由于所用的导电银胶能耐-200℃~400℃之间的低温和高温,因而连接牢固,能确保装置在-200℃~400℃之间的各种场所可靠工作。克服了现有技术通过铜片焊剂焊接相连,焊接点易脱离的缺点。
申请公布号 CN100346490C 申请公布日期 2007.10.31
申请号 CN200410025400.4 申请日期 2004.06.21
申请人 浙江大学 发明人 杨灿军;钱剑锋;李伟
分类号 H01L35/34(2006.01);H01L35/08(2006.01);H01L35/12(2006.01) 主分类号 H01L35/34(2006.01)
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 韩介梅
主权项 1.一种薄片型热电转换装置的制备方法,该装置包括依次迭置的上板(1)、N型和P型半导体热电材料层(3)和下板(5),半导体热电材料层的N型节和P型节在平面的纵向和横向交替间隔排列,其特征是制备方法包括以下步骤:1)在下板的表面刻制用于连接N型节和P型节一端的矩形凹槽(7),在上板的表面刻制用于连接N型节和P型节另一端的矩形凹槽(8),上、下板表面分布的矩形凹槽以使半导体热电材料层的N型节和P型节形成串联连接;2)在下板的矩形凹槽内注入导电银胶(4),将半导体热电材料层的N型节和P型节的一端及串联连接的首末两根引线(6)置入凹槽中,凝固成一体;3)在上板的矩形凹槽内注入导电银胶(2),将步骤2)所得的凝固成一体部件的N型节和P型节的另一端置入上板凹槽,凝固成一体;4)在制得的整体部件的四周涂密封胶进行密封;上述的导电银胶为能耐-200℃~400℃温度范围的银胶。
地址 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号