发明名称 Single-Crystal Semiconductor Layer with Heteroatomic Macronetwork
摘要 The invention relates to a single-crystal layer of a first semiconductor material including single-crystal nanostructures of a second semiconductor material, the nanostructures being distributed in a regular crystallographic network with a centered tetragonal prism
申请公布号 US2007248818(A1) 申请公布日期 2007.10.25
申请号 US20040583235 申请日期 2004.12.16
申请人 STMICROELECTRONICS S.A. 发明人 BENSAHEL DANIEL;CAMPIDELLI YVES;KERMARREC OLIVIER
分类号 B32B19/00;G02B5/18;G02B27/44;H01L21/20;H01L29/04;H01L31/0352 主分类号 B32B19/00
代理机构 代理人
主权项
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