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Ein Halbleiterelement beinhaltet eine erste Halbleiterschicht (20) eines ersten Leitungstyps, die einen Nichtabscheidungsbereich (R2) und einen Abscheidungsbereich (R1) aufweist. Die erste Halbleiterschicht hat eine erste Deckfläche (24) auf dem Nichtabscheidungsbereich (R2). Das Halbleiterelement beinhaltet ebenfalls eine zweite Halbleiterschicht (10) eines zweiten Leitungstyps auf dem Abscheidungsbereich (R1) der ersten Halbleiterschicht (20). Die zweite Halbleiterschicht (10) hat eine zweite Deckfläche (14). Das Halbleiterelement beinhaltet eine erste und eine zweite Elektrodenschicht (22, 12) auf der ersten bzw. zweiten Halbleiterschicht (20, 10), welche eine geneigte Oberfläche (16) zur kontinuierlichen Verbindung dazwischen definiert. Das Halbleiterelement beinhaltet eine isolierende Schicht (50) auf der geneigten Oberfläche (16), die von zumindest der ersten oder der zweiten Elektrodenschicht (22, 12) beabstandet ist. Zumindest entweder die erste oder die zweite Halbleiterschicht beinhalten einen vertieften Abschnitt (60, 70) zwischen der entsprechenden ersten bzw. zweiten Elektrodenschicht (22, 12) und der isolierenden Schicht (50).
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