| 发明名称 | 应变全耗尽绝缘层上覆硅半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在其上具有绝缘体(104)的半导体衬底(102)，其中该绝缘体(104)上有半导体层(106)。形成深沟隔离区(108)，将应变导引入至该半导体层(106)。在该半导体层(106)上形成栅极电介质(202)与栅极(204)。围绕着该栅极(204)形成间隔体(304)，且将在该间隔体(304)外部的半导体层(106)与绝缘体(104)除去。在该间隔体(304)外部形成凹入式源极/漏极(402)。 | ||
| 申请公布号 | CN101061587A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200580035899.X | 申请日期 | 2005.10.12 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | 相奇;N·苏巴;W·P·麦斯扎拉;Z·克里沃卡皮克;M－R·林 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体装置的方法(700)，包括下列步骤：提供在其上具有绝缘体(104)的半导体衬底(102)，该绝缘体(104)上有半导体层(106)；形成深沟隔离区(108)，将应变引入至该半导体层(106)；在该半导体层(106)上形成栅极电介质(202)与栅极(204)；围绕该栅极(204)形成间隔体(304)；除去在该间隔体(304)外部的该半导体层(106)与该绝缘体(104)；以及在该间隔体(304)外部形成凹入式源极/漏极(402)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||