发明名称 碳纳米管场发射显示装置的制备方法
摘要 本发明涉及一种碳纳米管场发射显示装置的制备方法,包括下列步骤:在工作板表面形成一绝缘层,该绝缘层具有一平整表面;在绝缘层表面形成一催化剂层;在催化剂层表面形成阻隔壁,并形成显示点阵区域;生成碳纳米管阵列;在碳纳米管阵列顶部形成阴极电极;形成与阴极电极和阻隔壁外形相应的底板,以支撑所述阴极电极和阻隔壁;脱去工作板,在绝缘层表面形成栅极电极;去除绝缘层对应显示点阵的区域,露出碳纳米管阵列;封装阳极。本发明可使碳纳米管阵列发射端在同一平整面,从而实现电子均匀发射;而且,碳纳米管与栅极的间距可以控制。
申请公布号 CN100345239C 申请公布日期 2007.10.24
申请号 CN03114065.3 申请日期 2003.03.26
申请人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 发明人 刘亮;范守善
分类号 H01J9/00(2006.01) 主分类号 H01J9/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种碳纳米管场发射显示装置的制备方法,包括下列步骤:提供一工作板,其具有一表面;在所述工作板的表面形成一定厚度的绝缘层,该绝缘层具有一平整表面;在绝缘层表面形成一催化剂层;在催化剂层表面选定区域形成具有一定高度的阻隔壁,并形成显示点阵区域;在显示点阵区域生成碳纳米管阵列;在碳纳米管阵列顶部形成阴极电极;形成与阴极电极和阻隔壁外形相应的底板;脱去工作板,露出绝缘层;在绝缘层表面选定区域形成栅极电极;去除绝缘层对应显示点阵的区域,露出碳纳米管阵列;封装阳极。
地址 100084北京市海淀区清华大学物理系