| 发明名称 | 降低化学气相沉积掺杂磷氧化层表面缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 一种降低半导体组件磷硅类玻璃层表面缺陷的方法，包括利用化学气相沉积工艺于磷硅类玻璃层上形成氧化防护罩。 | ||
| 申请公布号 | CN100345260C | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200410079126.9 | 申请日期 | 2004.09.08 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林经祥;陈礼仁;陈光钊 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01);C23C16/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种降低半导体组件保护层表面缺陷的方法，该方法包括：于一基板上形成一玻璃层；以及于该玻璃层上形成一防护罩氧化层，该防护罩氧化层为一未掺杂氧化层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 | ||