沉陷铜电极电化学微流控芯片的制备方法

摘要

一种沉陷Cu电极电化学微流控芯片的制备方法，属于聚合物芯片制作技术领域和分析检测技术领域，用于电化学微流控芯片的制作。其方法是利用微通道模具热压聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基片获得微通道；微电极模具热压另一片PMMA获得微电极沉陷，在此PMMA上溅射Cu，利用套刻和湿法腐蚀工艺制作出沉陷的Cu微电极；采用热键合的方式将两片PMMA封接，获得沉陷Cu电极电化学微流控芯片。本发明的效果和益处是：采用热压、溅射、套刻和湿法腐蚀的方法获得沉陷的Cu电极，将Cu电极集成于微流控芯片上，提高了芯片制作的成品率，同时采用Cu作为电化学检测的工作电极材料大大降低了芯片成本。此类芯片可广泛应用于生化分析中的糖类检测。

主权项

1.一种沉陷铜电极电化学微流控芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)利用光刻、硅腐蚀或UV-LIGA工艺将微通道和微电极图形以及对准标记点转移到硅片和金属片上，获得热压模具；(2)采用热压的方法将微通道复制到PMMA基片上，热压温度100℃，压力0.7Mpa，保持时间6min；(3)采用热压后溅射、套刻和湿法腐蚀在PMMA上获得沉陷微电极：热压温度100℃，压力1.4Mpa，保持时间6min；利用射频溅射台溅射200nm厚的Cu；旋涂光刻胶，利用PMMA和掩膜上的标记点实现对准套刻；在5％(wt)硝酸溶液中刻蚀Cu；采用二次曝光、显影的方法去除Cu微电极表面的光刻胶，获得沉陷的Cu微电极；(4)利用显微视觉对准带有微通道和微电极的两片PMMA上的标记点，从而有效保障微通道出口与微电极之间的距离，采用热键合的方式将带有微通道和微电极的两片PMMA封接，得到芯片，键合温度100℃，压力0.7Mpa，保持时间10min。