| 发明名称 | 半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的制作方法，首先，提供一基底，此基底上已形成有栅极结构，其中栅极结构的侧壁上已形成有间隙壁，且栅极结构二侧的基底中已形成有源/漏极延伸区。接着，于间隙壁旁的基底中形成开口。然后，于开口底部的基底中或基底上形成源/漏极区。继之，于源/漏极区与栅极结构上形成金属硅化物层。之后，于基底表面形成应力层。 | ||
| 申请公布号 | CN101060082A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200610075488.X | 申请日期 | 2006.04.20 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 丁世汎;黄正同;洪文瀚;郑礼贤;郑子铭 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底，该基底上已形成有栅极结构，其中该栅极结构的侧壁上已形成有间隙壁，且该栅极结构二侧的该基底中已形成有源/漏极延伸区；于该间隙壁旁的该基底中形成开口；于该开口底部的该基底中或该基底上形成源/漏极区；于该源/漏极区与该栅极结构上形成金属硅化物层；以及于该基底表面形成应力层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||