| 发明名称 | 包括具有氢流速渐变的光刻胶等离子体老化步骤的蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了通过光刻胶掩模(212)在衬底(204)上方在蚀刻层(208)中蚀刻特征的方法。将具有设置在光刻胶掩模下面的蚀刻层的衬底置于加工室中。对光刻胶掩模进行老化，其中所述老化包括向所述加工室提供老化气体，所述老化气体包括具有一定流速的碳氟化合物和氢氟碳化合物中的至少一种以及具有一定流速的含氢气体；和使所述老化气体能量化以形成老化等离子体从而使光刻胶(214)硬化。停止所述老化等离子体。向所述加工室提供蚀刻等离子体，其中所述蚀刻等离子体不同于所述老化等离子体。用所述蚀刻等离子体在蚀刻层(208)中蚀刻特征。 | ||
| 申请公布号 | CN101061436A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200580037064.8 | 申请日期 | 2005.09.23 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | 克伦·雅各布斯·卡纳里克;A·埃普勒 |
| 分类号 | G03F7/40(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/40(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郭广迅;范赤 |
| 主权项 | 1.一种用于通过光刻胶掩模在衬底上方在蚀刻层中蚀刻特征的方法，包括：将具有设置在光刻胶掩模下面的蚀刻层的衬底置于加工室中；对光刻胶掩模进行老化，包括：向所述加工室提供老化气体，所述老化气体包括具有一定流速的碳氟化合物和氢氟碳化合物中的至少一种以及具有一定流速的含氢气体；和使所述老化气体能量化以形成老化等离子体；和停止所述老化等离子体；向所述加工室提供蚀刻等离子体，其中所述蚀刻等离子体不同于所述老化等离子体；和用所述蚀刻等离子体在蚀刻层中蚀刻特征。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||