| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置，包括：第1导电型半导体衬底；形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区；形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区；在上述源极区和上述漏极区之间所设置的沟道区；以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极，其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第一导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。 | ||
| 申请公布号 | CN100345307C | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200310124832.6 | 申请日期 | 1999.06.08 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 十河诚治;上野雄司;山口诚毅;森吉弘;八谷佳明;高桥理;山西雄司;平野龙马 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：第1导电型半导体衬底；形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区；形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区；在上述源极区和上述漏极区之间所设置的沟道区；以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极，其特征在于：还包括第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被包含在上述漏极区内，所述埋入区被分成多个部分，在所述多个部分中的相邻部分之间具有构成漏极电流之电流通路的间隙区，所述电流通路是直线的。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||