| 发明名称 | 光学元件用HfON保护膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种光学元件用HfON保护膜的制备方法，即采用金属Hf靶在Ar气、N<SUB>2</SUB>气和O<SUB>2</SUB>气混合气氛中的反应磁控溅射方法制备HfON薄膜。采用本发明方法制备的HfON薄膜，机械强度高，硬度高、耐磨性能好，在可见、红外波段吸收小、透过率高。适于做军用光学窗口的硬质保护膜，也适于做一般光学元件如棱镜、透镜等的防潮保护膜及抗磨损膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101058871A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200710100392.9 | 申请日期 | 2007.06.11 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 | 发明人 | 苏小平;张树玉;黎建明;杨海;王宏斌;郝鹏;余怀之;刘伟 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C14/06(2006.01) | 主分类号 | C23C14/35(2006.01) |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 朱印康 |
| 主权项 | 1、一种光学元件用HfON保护膜的制备方法，以高纯金属Hf为靶，Ar气为工作气体，N2气和O2气为反应气体，采用反应磁控溅射工艺制备HfON膜，其特征是制备过程包括以下步骤：(1)将光学元件基体放置到基片台上，首先将真空室真空抽至高于3×10-3Pa，然后将基体加热到室温～700℃；(2)向真空室充入Ar气，保持真空在0.1～0.5Pa，溅射功率100～1000W，对靶表面轰击清洗8-12分钟；(3)按N2/(N2+O2)＝0.05～0.95、(N2+O2)/Ar＝0.1～0.5的比例范围通入Ar、N2气和O2气的混合气体，保持溅射功率50～300W，工作真空0.1～0.3Pa，沉积HfON膜直至达到所需的厚度；(4)沉积结束后在上述混合气体中将工件温度缓慢降至室温，降温速率30～100℃/小时。 | ||
| 地址 | 100088北京市新街口外大街2号 | ||