| 发明名称 | 一种TFT LCD阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种TFT LCD阵列基板，包括玻璃基板、形成于玻璃基板上的栅线和栅电极、形成于栅电极上的绝缘介质层、半导体层和欧姆接触层、透明像素电极、源漏电极、数据线、及钝化层，欧姆接触层由微晶硅材料构成，并与其上方透明像素电极欧姆接触；源漏电极形成于透明像素电极的上方。本发明同时也公开了相应的制造方法。本发明将5次光刻技术中的源漏电极光刻和像素电极层光刻合并在一个光刻中完成，与原有的5次光刻技术相比减少了一个光刻工艺即减少了一次曝光过程，提高了生产效率。同时还可将像素层和源漏电极层在同一台磁控溅射设备中进行连续沉积，从而提高了磁控溅射设备的利用率和降低工艺时间，达到提高产能和降低生产成本的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN101060123A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200610074457.2 | 申请日期 | 2006.04.21 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 邓朝勇;林承武 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/136(2006.01);G02F1/1345(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 1、一种TFT LCD阵列基板，包括：基板、形成于基板上栅线和栅电极、形成于栅电极上的绝缘介质层、有源层和欧姆接触层、透明像素电极、源漏电极、数据线、及钝化层，其特征在于：所述欧姆接触层具体为微晶硅材料层，透明像素电极位于微晶硅材料层的上方并与微晶硅材料层欧姆接触，源漏电极形成于透明像素电极的上方。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||