平面PIN光电二极管浅台面芯片

摘要

本实用新型提供一种平面PIN光电二极管浅台面芯片，其外延片结构包括在n型掺杂的InP衬底上依序外延生长n型掺杂的InP过渡层、不掺杂InGaAs吸收层、不掺杂InP腐蚀终止层、不掺杂InGaAs引入层、p型掺杂InP帽层和p型掺杂InGaAs欧姆层。由于利用InP和InGaAs之间选择性腐蚀液腐蚀时，腐蚀液仅腐蚀不掺杂InGaAs引入层，对不掺杂InP腐蚀终止层不产生任何作用，从而在腐蚀工艺中可精确地控制芯片腐蚀台阶终止位置，使芯片的半导体材料表面露出宽带隙的不掺杂InP腐蚀终止层，以便有效控制芯片表面漏电流，使芯片暗电流低。

主权项

1、一种平面PIN光电二极管浅台面芯片(20)，其外延片结构包括在n型掺杂的InP衬底(21)上依序外延生长n型掺杂的InP过渡层(22)、不掺杂InGaAs吸收层(23)、不掺杂InP腐蚀终止层(24)、p型掺杂InP帽层(25)和p型掺杂InGaAs欧姆层(26)，其特征在于，所述不掺杂InP腐蚀终止层(24)和p型掺杂InP帽层(25)之间还外延生长有不掺杂InGaAs引入层(25′)。