| 发明名称 | 一种透光电极及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种透光电极及其制备方法。本发明所提供的透光电极，包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶硅层。本发明用多晶硅薄膜作为透光电极可以兼顾透光率、稳定性和低成本等基本要素。原料可以是非晶硅，单晶硅尾料，也是硅的其他化合物；制备工艺可以用成本很低的磁控溅射或电子束蒸发等，真空在10<SUP>－5</SUP>托以上即可。与采用薄金属透光电极相比，透光率高且稳定。与ITO薄膜相比，材料和工艺成本均较低。本发明的透光电极在无机薄膜，有机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面也有广泛用途。 | ||
| 申请公布号 | CN101060166A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200610075837.8 | 申请日期 | 2006.04.20 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 冉广照;赵伟强;秦国刚;徐万劲 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01);H01L51/56(2006.01);H01L51/44(2006.01);H01L51/48(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L31/0224(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L21/28(2006.01);H05B33/26(2006.01);H05B33/10(2006.01) | 主分类号 | H01L51/52(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 1、一种透光电极，包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶硅层。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||