发明名称 单片集成微电子机械系统制备方法
摘要 单片集成微电子机械系统制备方法是基于Post-MEMS的体硅微机械加工工艺,包括CMOS电路加工,MEMS器件结构加工,工艺集成等三个工艺模块。首先,在CMOS代工厂完成集成电路部分的加工,同时通过有源区、接触孔、通孔和压焊块的开孔来定义MEMS结构部分和划片时去掉的部分。如果有需要,可以进一步对硅片正面进行浅槽刻蚀。然后,对PYREX玻璃片进行光刻,腐蚀出用于划片的浅槽。接着,利用剥离工艺实现金属引线和压焊块。第四步硅片正面与玻璃片3进行低温键合。第五步根据需要,可以对硅片背面进行CMP抛光减薄至合适厚度。第六步为对硅片背面干法刻蚀,释放结构。最后,划片,裂片。最终的结构通过在玻璃上制作的压焊块进行引出。
申请公布号 CN101058402A 申请公布日期 2007.10.24
申请号 CN200710022267.0 申请日期 2007.05.11
申请人 东南大学 发明人 秦明;沈广平;黄庆安
分类号 B81C1/00(2006.01) 主分类号 B81C1/00(2006.01)
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 叶连生
主权项 1.一种单片集成微电子机械系统制备方法,其特征在于该方法利用键合工艺和干法刻蚀工艺相结合,包括如下工艺步骤:a.)CMOS电路加工:通过有源区、接触孔、通孔和压焊块的开孔来定义MEMS结构部分和划片时去掉的部分,留下部分介质层和钝化层(2);b.)MEMS器件结构加工:b1.)对玻璃片(3)进行光刻,进行浅槽刻蚀;b2.)在玻璃片(3)上利用剥离工艺形成金属引线和压焊块(4);b3.)硅片(1)正面与玻璃片(3)进行低温键合连接(5);b4.)对芯片进行背面减薄和抛光;c.)工艺集成:c1.)对硅片(1)背面进行双面光刻和干法刻蚀,释放形成活动MEMS结构(6);c2.)划片,裂片,去除多余的硅片部分,形成最终的器件结构。
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