发明名称 |
整合于半导体集成电路结构的变压器的制作方法 |
摘要 |
提供一基底,于该基底上形成一最高金属内连线层与一主绕组层。随后于该基底上形成一绝缘层,且该绝缘层具有多个开口暴露出部分该最高金属内连线层。接下来,于该绝缘层上分别形成一副绕组层与至少一个金属焊垫,且该金属焊垫通过该些开口与该最高金属内连线层电连接。 |
申请公布号 |
CN101060097A |
申请公布日期 |
2007.10.24 |
申请号 |
CN200610074355.0 |
申请日期 |
2006.04.17 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
洪建州;曾华洲;梁其翔;陈佑嘉;许村来 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01F41/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种整合于半导体集成电路结构的变压器的制作方法,包括以下步骤:提供基底;于该基底上同时形成最高金属内连线层与主绕组层;于该基底表面形成绝缘层,该绝缘层覆盖该主绕组层与该最高金属内连线层,且该绝缘层具有多个开口,暴露出部分该最高金属内连线层;以及于该绝缘层上同时形成副绕组层与至少一个金属焊垫,且该金属焊垫通过该些开口与该最高金属内连线层电连接。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |